集成电路成分检测

检测项目

1.衬底材料成分分析：硅片纯度、氧含量、碳含量、掺杂剂浓度、晶体缺陷。

2.金属互连层成分检测：铝、铜主成分含量、合金元素比例、杂质元素（如氯、氟）、阻挡层/粘附层（如钛、氮化钛）成分与厚度。

3.介电材料成分分析：二氧化硅、氮化硅的化学计量比、碳掺杂氧化硅中的碳含量、低介电常数材料中的元素组成与孔隙率。

4.钝化层与封装材料成分：氮化硅、聚酰亚胺、二氧化硅等钝化层的成分与均匀性，封装树脂的填料成分、固化程度分析。

5.掺杂区成分与分布检测：硼、磷、砷等掺杂元素的浓度深度分布、表面浓度、结深测量。

6.栅极结构成分分析：多晶硅栅掺杂浓度、金属栅功函数层材料成分、高介电常数栅介质层的元素组成与界面特性。

7.晶圆加工残留物检测：化学机械抛光后金属残留、颗粒污染、有机残留物、蚀刻后副产物分析。

8.焊点与凸点成分分析：锡铅、无铅焊料合金比例、金锡共晶成分、金属间化合物形成与成分。

9.薄膜厚度与成分剖面分析：多层薄膜结构的各层厚度、成分界面扩散、梯度变化测量。

10.污染物与失效分析成分检测：可动离子污染（钠、钾）、重金属污染（铁、镍、铜）、卤素离子腐蚀产物、失效点的异常成分定位。

11.光刻胶与有机材料成分：光刻胶主体树脂成分、光敏剂含量、显影后残留物、有机平坦化层成分分析。

12.键合线与焊盘金属成分：金丝、铜丝纯度，铝焊盘合金成分，界面金属间化合物鉴定。

检测范围

硅晶圆、锗硅外延片、化合物半导体晶圆、集成电路芯片、晶圆级封装结构、系统级封装模块、引线框架、陶瓷封装基板、塑料封装体、倒装芯片凸点、硅通孔结构、微机电系统器件、功率器件芯片、存储器单元阵列、中央处理器核心区、图形处理器单元、射频前端模块、传感器敏感区域、发光二极管外延层、光电探测器吸收层

检测设备

1.二次离子质谱仪：用于测量元素及其同位素的深度分布，具有极高的检测灵敏度，可分析痕量掺杂元素与污染物。

2.X射线光电子能谱仪：用于分析材料表面及界面元素的化学态与定量组成，特别适用于薄膜、钝化层及污染物的表征。

3.俄歇电子能谱仪：用于进行纳米尺度的表面元素成分分析与深度剖面分析，擅长轻元素检测和微小区域成分鉴定。

4.X射线荧光光谱仪：用于对薄膜成分进行快速、无损的定量与定性分析，适用于金属层厚度与成分测量。

5.辉光放电质谱仪：用于测定块体材料或深层薄膜中的痕量及超痕量杂质元素，提供全面的杂质普查数据。

6.傅里叶变换红外光谱仪：用于鉴定介电薄膜的化学键结构、测量掺杂浓度以及分析有机污染物与残留物。

7.电感耦合等离子体质谱仪：用于溶液样品中极低浓度的金属元素定量分析，常用于工艺化学品及清洗液的纯度监控。

8.扫描电子显微镜配套能谱仪：用于对芯片微观形貌进行观察的同时，进行微区元素的定性与半定量分析。

9.卢瑟福背散射谱仪：用于精确分析薄膜厚度、成分比例及元素深度分布，是一种绝对定量分析方法。

10.飞行时间二次离子质谱仪：用于获得高质量分辨率的分子及元素离子图像，特别适用于有机污染物分布及复杂材料的表面分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.